ЗАГРЯЗНЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛА

В местах загрязнения или дефектов защитного покрытия кристалла могут появиться электрические цепи, не предусмотренные конструкцией ИС. В неко­тором смысле изолированные металлизированные дорожки и контактные пло­щадки на поверхности кристалла можно рассматривать как обкладки конден­сатора. В качестве диэлектрика будут выступать находящийся между ними окисел или защитные компаунды. В этом случае постоянный ток утечки между этими обкладками будет определяться диэлектрическими свойствами поверхности кристалла и потенциалами между дорожками и площадками.

При малых значениях потенциала возрастание токов утечки связано с уве­личением температуры, поэтому повышенная температура стимулирует увели­чение токов утечки ИС. Время проявления дефекта наблюдается в интервале от 1-го до 96-го часа.