СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ ПОДЗАТВОРНОГО ОКИСЛА

Дефекты исходной структуры кремния (выступы, дендриты) определяют н структурные нарушения в подзатворном окисле. Повышение температуры вы­зывает дальнейшее развитие этих нарушений. Поскольку пороговое напряжение МОП схем линейно зависит от толщины подзатворного слоя (диэлектрика, его структурные дефекты, включая и локальное уменьшение толщины, приводят к уменыневию этого напряжения и изменению зависящих от него других пара­метров (например, крутизны усиления).

Кроме того, увеличение температуры и напряжения смещения может при­вести к пробою подзатворного окисла в месте структурного дефекта. Ток, проходящий через участок структурного дефекта, разогревает это место. Ло­кальное увеличение температуры приводит к дальнейшему увеличению плотности тока, поэтому при больших напряженностях поля тепловыделение в окисле может превысить теплоотдачу в окружающую среду и произойдет тепловой пробой [8]. Такой отказ ИС вероятен между 96...J5O0 часами воздействия по­вышенной температуры и нагрузок.