ИЗМЕРЕНИЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОТЕРЬ

Измерение сопротивления потерь туннельного диода производится при работе его на обратной ветви вольтам­перной характеристики при токах смещения 0,1 — 1 а (в за­висимости от типа диода), когда сопротивлением перехода можно пренебречь и наклон характеристики в основном определяется сопротивлением базы и выводов. Поскольку малая емкость перехода туннельного диода обычно дости­гается путем уменьшения площади р-п перехода, большие токи вызывают чрезмерный разогрев его, что может привести к отказу диода. Поэтому при измерениях применяют им­пульсный ток смещения. Длительность импульсов тока смещения должна быть примерно 100 нсек, чтобы температура перехода не успела установиться за время импульса, ампли­туда импульсов должна соответствовать рабочей точке, в которой измеряют rs.

Методика, применяемая для измерения сопротивления rs туннельных диодов, предусматривает подачу на диод им­пульсов тока, модулированных по амплитуде синусоидаль­ным напряжением. Спектр последовательности модулиро­ванных по амплитуде импульсов напряжения на диоде содержит ряд составляющих, амплитуда которых пропор­циональна дифференциальному сопротивлению. Выделяя и усиливая одну из этих составляющих, можно получить переменное напряжение, амплитуда которого пропор­циональна измеряемому параметру.

Блок-схема прибора, в котором использован этот метод, показана на рис. 13.15. Импульсы тока, модулированные по амплитуде с частотой 2 кгц, подаются на испытуемый диод; напряжение с диода проходит. через фильтр нижних час­тот ФНЧ, выделяющий огибающую. Селективный усилитель усиливает огибающую, которая затем поступает на амплитуд­ный детектор, в цепь нагрузки которого включается инди­каторный прибор И. Калибровка прибора осуществляется включением вместо испытуемого диода прецизионного рези­стора RK. При измерении необходимо принимать меры к тому, чтобы индуктивность проводников, с помощью кото­рых диод подключается в схему, не вносила заметную по­грешность в результаты намерений.

Вследствие поверхностного эффекта сопротивление потерь зависит от частоты. Его величина rs(f) на СВЧ может быть получена путем  измерения на малом сигнале КСВН диода, смещенного в область минимума вольтамперной ха­рактеристики.

Поскольку процесс измерения трудоемок, а величина незначительно отличается от результата измерения на низ­кой частоте, обычно ограничиваются измерением этого пара­метра импульсным методом.