Дробовой шум при больших токах

При больших токах через Диод (больших — 1 ма) наблюдаемые шумы превышают значения, рассчитываемые по формулам (3.5) и (3.10). Тео­рия, которая количественно объясняла бы эти отклонения, пока отсутствует.

Влияние сопротивления базы на шум диода.

Выражения (3.5), (3.10), (3.13) определяют только шум перехода. Шум

реального диода слагается из шумов перехода и базы. Величина сопротивления базы зависит от тока диода. Следует различать сопротивления базы для постоянного и перемен­ного токов.

Если Ur = iR есть падение напряжения на сопротив­лении базы для постоянного тока, то сопротивление базы на переменном токе

dURdR

R~=~W = R+i-dT — "(3-Й)

Величину = Rk6 называют сопротивлением, модуляции базы. В полупроводниковых диодах сопротивление RM6 отри-

дательное: вследствие инжекции неосновных носителей и других эффектов с ростом тока сопротивление базы падает. На высоких "частотах это сопротивление становится ком­плексным и, как следует из измерений и расчета, имеет индуктивный характер [48, 49].

Шумы базы удобно разделить на шумы, связанные с сопротивлением модуляции RU6, и шумы сопротивления базы R на постоянном токе Можно считать [5], что со­противление базы на постоянном токе порождает только тепловой шум. Модуляция сопротивления базы (сопротив­ление Rue) обусловлена иижекцией, т. е. связана с изме­нением тока через р-п переход. Соответственно шум от Rm6 должен быть коррелирован с шумом перехода. На экви­валентной схеме диода эту связь учитывают включением сопротивления RMc в цепь генератора шумового тока перехода и добавлением генератора шума , (рис. 3.1).

Если пренебречь генератором Аимб, эквивалентное сопро­тивление шума при / > /0 будет где Rn —дифференциальное сопротивление перехода. Пос­ледний член в формуле (3.15) мал по сравнению с предыдущи­ми. Таким образом, шум диода равен сумме дробового шума перехода RJ2 и теплового шума сопротивления базы на переменном токе. Последнее согласуется с эксперименталь­ными данными для плоскостных диодов. Отклонения должны наблюдаться для диодов с. большим сопротивлением базы в области больших токов (малых Rn).