Содержимое раздела "Полупроводниковые диоды"

Сортировка:

УСИЛИТЕЛЬНЫЕ ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

Основными характеристиками туннельного усилителя являются произведение полосы пропускания на коэффи­циент усиления и коэффициент шума. Связь этих характе­ристик с малосигнальными параметрами туннельного диода может быть записана в виде где у— усиление по мощности; А/ — полоса пропускания; Ыш = с~^. —шумовой коэффициент диода; /0—ток смещения; R, С, /д —значение параметров диода в рабочей точке.
Эти формулы получены [...]

Физические процессы при включении прямого тока

Переходной процесс при включении импульса прямого тока (рис. 8.5), так же как и переключающие характеристики дио­да, объясняется эффектом накопления неосновных носителей заряда в базе. В § 8.2 было показано, что при протекании прямого тока полное количество дырок в базе значительно больше, чем в случае, когда ток через диод не протекает. Поскольку проводимость полупроводника прямо пропор­циональна [...]

ШУМЫ И СТАБИЛЬНОСТЬ ПАРАМЕТРОВ

У стабилитронов с лавинным механизмом пробоя (на­пример, Д808 — Д813) в области формирования пробоя (при токах 0,1 — 1,0 ма) наблюдаются спонтанные флук­туации тока и напряжения (шумы). Эти флуктуации вызы­ваются, образованием и возникновением «микроплазм»— микроучастков перехода, в которых развивается пробой. Это могут быть так называемые «слабые места» перехода: локальные концентрации примесей, механические напряже­ния, металлические включения [...]

ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ И УМНОЖИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

Идея технического использования управляемой емкости смещенного в обратном направлении р-п перехода была высказана советским ученым Б. М. Вулом еще в 1953 г. Широкое проникновение диодов с управляемой емкостью в технику сверхвысоких частот началось в 1959 г., когда возникла потребность в разработке чрезвычайно малошумя-щего СВЧ усилителя и возродился интерес к параметричес­ким усилителям применительно к задаче малошумящего [...]

Потери преобразования

Потери преобразования L измеряют, как правило, модуляционным методом. При этом имитируют сигнал одной из боковых частот путем модуляции колебаний гетеродина. Модуляция осуществляется с помо­щью включенного в СВЧ линию передачи механического "модулятора произвольной конструкции, причем коэффициент модуляции по напряжению СВЧ т не должен превы­шать 10% для обеспечения режима малого сигнала. Потери преобразования вычисляются по формуле
m2 PR
L=10 [...]

УСТРОЙСТВО И ПРИНЦИП РАБОТЫ ТРИНИСТОРОВ

Тиристоры — это полупроводниковые диоды, представ­ляющие собой четырехслойную структуру типа р-п-р-п, имеющую выводы от двух крайних областей и от одной вну­тренней (базовой) области (рис. 9.1).
Если на анод подан положительный потенциал относи­тельно катода, то крайние р-п переходы Пха П3 оказываются смещенными в прямом направлении, а центральный пере­ход /72 — в обратном (рис. 9.1), т. е. [...]

ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ ДИОДОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И РЕЖИМА

Сильная зависимость параметров диодов от температуры обусловлена физическими свойствами полупроводников (см. гл. 1). Для диодов наиболее важны изменения обрат­ного тока /обр и прямого падения напряжения Unp.
На рис. 15.1 и 15.2 показаны типичные зависимости /обп и ~0пр от температуры для импульсных диодов Д18 и КД503А.
Зависимость от температуры .некоторых параметров диодов (например, напряжения стабилизации кремниевых стабилитронов, прямого [...]

ТЕПЛОВОЙ ШУМ

При отсутствии внешнего электрического смещения средний квадрат напряжения шума любых проводников электричества определяется формулой Найквиста, пред­ставляемой обычно в виде
Аи2 = 4kTR А
где R — активное сопротивление измеряемого источника шума; А/ — полоса частот измерителя шума.
Определяемый формулой (3.1) шум пропорционален абсолютной температуре Т и носит название теплового. Спектр теплового шума равномерный, т. е. спектральная плотность не [...]

Потери пропускания и запирания

На резонансной часто­те импеданс диода становится практически чисто активным как' при прямом, так и при обратном смещении.
Качество переключательного диода. Потери пропуска­ния и потери запирания связаны соотношением качеством диода, опреде­ляется только свойствами диода и частотой и не зависит от волнового сопротивления линии передачи W.
Такое же точно выражение для качества К получается и в случае выключателя, выполненного [...]

ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

При работе туннельного диода в переключающем режиме основное значение приобретает раствор вольтамперной ха­рактеристики, характерные точки которой Служат стати­ческими параметрами прибора (см. табл. 13.1 и 13.2), так как эквивалентная схема не отражает — нелинейных свойств диода и для анализа его работы при большом сигнале имеет лишь вспомогательное значение (например, может служить для оценки времени переключения).
Различают два крайних [...]