Содержимое раздела "Полупроводниковые диоды"

Сортировка:

Сопротивление р-п перехода

Дифференциальное сопро­тивление, шунтирующее емкость р-п перехода, опреде­ляется физическими процессами в переходе, его вольтампер­ной характеристикой (§ 2.1). Практически величина диффе­ренциального сопротивления определяется величиной-токов утечки, возникающих вследствии загрязнения поверхности р-п перехода. Поэтому величина дифференциального сопро­тивления оказывается ниже расчетной, однако не меньше мегома.
Эквивалентная схема принимает вид, показанный на рис. 7.1, г. В этом случае добротность зависит от величины [...]

Максимальное обратное напряжение

При подаче на диод обратного напряжения большой величины может нас­тупить пробой перехода, признаком которого является резкое увеличение обратного тока (см. § 1.5, а также § 5.2). Величина пробивного напряжения зависит как от конструк­тивных и технологических факторов, так и от физических свойств полупроводника [1, 2, 7].
Необходимо отметить, что выпрямительные диоды могут быть выведены из строя даже [...]

Емкость запирающего слоя

В диапазоне СВЧ на работу выпрямляющего контакта оказывает существенное влияние емкость запирающего слоя. Она включена парал; лельно нелинейному сопротивлению запирающего слоя, так что полная эквивалентная схема выпрямляющего кон­такта принимает вид, показанный на рис. 10.1. Паразит­ное действие емкости заключается в том, что протекание емкостного компонента тока через включенное последо­вательно сопротивление растекания приводит к рассеянию на нем [...]

ПРИМЕНЕНИЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ДИОДОВ

В радиоэлектронных схемах точечные диоды исполь­зуются главным образом в качестве детекторов высокочас­тотных сигналов, ограничителей, нелинейных сопротивле­ний, коммутационных элементов.
Типовая схема амплитудного детектора радиовещатель­ного приемника показана на рис. 6.11. Начальное постоян­ное смещение в детекторах подобного типа, как правило, отсутствует. Чтобы нелинейные искажения были минималь­ными, подводимое к детектору высокочастотное напряжение должно быть не менее нескольких десятков милливольт.
В этом [...]

КЛАССИФИКАЦИЯ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫХ СВЧ ДИОДОВ

Переключательные диоды выполняют в СВЧ технике " много различных функций. Поэтому классификация диодов по области их применения неоправданна. Зачастую один и тот же диод может быть использован в различных устрой­ствах, например в аттенюаторе или в фазовращателе.
Однако можно указать признаки, по которым все пере­ключательные диоды делятся на определенные группы. Диоды можно различать по принципу действия. Так, [...]

ЕМКОСТЬ СТАБИЛИТРОНОВ

Стабилитроны, в основном, используются при обратном смещении перехода. Главную роль при этом играет барьер­ная емкость, имеющая вследствие малой ширины перехода и его относительно большой площади значительную величину.
Так как р-п переход в стабилитроне, как правило, очень резкий," то зависимость емкости диода от напряжения имеет вид
CR{U) = CAUo)V&
где Сд(£/0) — емкость при напряжении U0.
Следует отметить, что добротность [...]

ПАРАМЕТРЫ ТИРИСТОРОВ

В большинстве случаев тиристор применяется как биста: бильный управляемый элемент; поэтому система параметров выбирается таким образом, чтобы полностью охарактери­зовать оба устойчивых участка вольтамперной характерис­тики и включающие параметры управляющего электрода. Основные параметры, характеризующие тиристор, приве­дены в табл. 9.1.
Параметры тиристора могут сильно изменяться в ин­тервале рабочих температур. Поэтому для правильного применения тиристоров необходимо знать максимальные значения параметров [...]

ПРИНЦИП РАБОТЫ ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА

Среди полупроводниковых приборов с р-п переходами особое место занимает класс приборов, действие которых основано на туннельном эффекте. Это туннельные и обра­щенные диоды, туннельные триоды, туннельные резисторы, нейтристоры и др.
Для существования туннельного тока при небольших напряжениях на р-п переходе необходимо, во-первых, чтобы переход был достаточно узким и, во-вторых, чтобы с обеих сторон р — п перехода [...]

ПАРАМЕТРЫ ВАРИКАПОВ И МЕТОДЫ ИХ ИЗМЕРЕНИЯ

Параметры варикапа, характеризующие его как полу­проводниковую нелинейную емкость, следующие:
Сном — номинальная емкость — емкость между вывода­ми варикапа при номинальном напряжении смещения.
СМакс— максимальная емкость — емкость варикапа при заданном минимальном напряжении смещения.
СМ1Ш — минимальная емкость — емкость варикапа при заданном максимальном напряжении смещения.
Qhom—номинальная добротность варикапа—отноше­ние реактивного сопротивления варикапа к полному сопро­тивлению потерь при номинальном напряжении смещения [...]

ПРОХОЖДЕНИЕ ИМПУЛЬСОВ ПРЯМОГО ТОКА ЧЕРЕЗ ДИОД

В большинстве случаев диод применяют в таких схемах, где его прямое сопротивление оказывается значительно меньше еопротивления нагрузки, включенного последо­вательно с диодом. Поэтому, очевидно, при прохождении через диод импульсов тока в прямом направлении можнополагать, что диод подключен к генератору тока. Форма напряжения на диоде при пропускании через него импульса тока показана на рис. 8.5, б. Характерной [...]