Содержимое раздела "Полупроводниковые диоды"

Сортировка:

Метод емкостно-омического делителя

Схема включения диода при измерении емкости методом емкостно-омического делителя показана на рис. 2.15, а. На рис. 2.15, б диод заменен эквивалентной схемой перехода, смещенного в об­ратном направлении. Из этой схемы следует, что если час­тота измерения / выбрана таким образом, что ток в цепи определяется реактивным сопротивлением емкости ½л/Сд, то напряжение на резисторе RH будет [...]

ШУМОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ ДЕТЕКТОРНЫХ И СМЕСИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ

Шумовое отношение (t) определяется как отношение номинальной (т. е. отдаваемой в согласованную нагрузку) мощности шума (Рш иом) в интервале частот Д/ на выходе диода в рабочем режиме к номинальной мощности тепло­вого шума kTDAf активного сопротивления, находящегося при комнатной температуре Т0 (Т0 — 290° К):
В определение не входит выходное сопротивление диода. Однако для определения величины [...]

ОСНОВНЫЕ ПРАВИЛА ПРИМЕНЕНИЯ ДИОДОВ В РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМАХ

Все преимущества полупроводниковых приборов, позво­ляющие создавать чрезвычайно экономичную, малогаба­ритную и надежную аппаратуру, могут быть сведены к ми­нимуму, если при разработке, изготовлении и эксплуатации ее не будут приняты во внимание специфические особен­ности диодов и транзисторов.
В первую очередь необходимо учитывать следующие особенности полупроводниковых диодов:
—зависимость параметров диодов от температуры и режима;'
—технологический разброс величин важнейших пара­метров диодов и их [...]

ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА ДИОДА

В общем случае диод может быть представлен эквива­лентной схемой, изображенной на рис. 2.2. На схеме при­няты обозначения:
Ск — емкость корпуса диода;
Ls — индуктивность выводов и контактной пружины, соединяющей кристалл с одним из выводов;
24
r" — сопротивление р-п перехода; Сп — емкость р-п перехода;
re — сопротивление базы, омического контакта и вы­водов диода.
Индуктивность Lj составляет 1 — 20 [...]

Параметры диода в диапазоне СВЧ

Будем считать, что эквивалентная схема рис. 10.4 относится к собственно запи­рающему слою, не имеющему частотной зависимости пара­метров, а паразитные элементы выпрямляющего контакта
подключены к нему извне. Таким образом, получим новый четырехполюсник, схема которого изображена на рис. 10.6. Расчет этой схемы с учетом потери мощности в паразитных элементах дает следующие значения параметров:
Обычно для т характеристики выпрямительных свойств [...]

Варикапы

Варикапом называется полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор, сконструированный таким об­разом, чтобы потери в. диапазоне рабочих частот были минимальными.
Изменяя напряжение на варикапе, подключенном к коле­бательному контуру, можно обеспечить дистанционное и безынерционное управление резонансной частотой контура. Нелинейность емкости р-п перехода позволила создать новые типы радиотехнических устройств—^.параметрические уси­лители, схемы умножения и деления частоты и др.
Свойство емкости р-п перехода изменять [...]

ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ СВЧ ДИОДЫ

В технике СВЧ большую роль играют устройства, пред­назначенные для управления сигналом, такие, как выклю­чатели, переключатели, модуляторы, ограничители, атте­нюаторы, фазовращатели. В таких устройствах могут быть использованы полупроводниковые диоды. Управляющие устройства на полупроводниковых диодах имеют ряд преи­муществ перед механическими, ферритовыми и газоразряд­ными. Применение полупроводниковых диодов позволяет резко сократить габариты и вес устройств, обеспечивает высокое быстродействие. К числу [...]

КОНСТРУКЦИИ ДИОДОВ И СПОСОБЫ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Основные параметры диода Ср и Uuопределяют выбор как структуры р-п перехода, так испособа его изготовления.
Можно показать [3], что для диодов срезким р-п t переходом величина т5 = rs С0определяетсяследующим выражением:
Vvikir- (11−8)
Здесь h — толщина базовой области; а — градиент кон­центрации примесей в области перехода.
Основными материалами для СВЧ диодов являются германий, кремний и арсенид галлия (в [...]

МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТИРИСТОРОВ

Статические параметры. Схема измерения прямого и обратного токов утечки такая же, как при снятии вольтам-перных характеристик диодов (§ 2.3). Если тиристор при­меняется с шунтирующим резистором между управляющим электродом и катодом, то все параметры следует измерять при включенном шунте. При измерении остаточного напря­жения и тока выключения (рис. 9.11) тиристор включают током управляющего электрода путем нажатия кнопки [...]

ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА

. Малосигнальная эквивалентная схема туннельного диода в первом 'приближении может быть представлена Цепью с сосредоточенными параметрами, как показано на рис. 13−5. На этой схеме: С — емкость р-п перехода.; rs — омическое сопротивление потерь; Ls — собственная индук­тивность корпуса; Ск — емкость корпуса; R — дифферен­циальное сопротивление р-п перехода.
Сопротивление потерь rs современных туннельных дио­дов [...]