Содержимое раздела "Полупроводниковые диоды"

Сортировка:

ОСОБЕННОСТИ ТОЧЕЧНЫХ ДИОДОВ

При исследовании выпрямительных свойств полупровод­никовых диодов было обнаружено, что с повышением час­тоты сигнала величина выпрямленного тока значительно уменьшается. Частотные характеристики диодов улучшают­ся при уменьшении площади выпрямляющего контакта и при снижении времени жизни неосновных носителей заряда. В диапазоне десятков и сотен мегагерц в качестве достаточно эффективных выпрямителей практически могут быть исполь­зованы лишь точечные диоды, для которых [...]

ДРОБОВОЙ ШУМ

Термин «дробовой шум» используется для обозначения компо­нента шума полупроводниковых диодов, природа которого анало­гична дробовому шуму электронных ламп.
В электронных лампах дробовой шум обусловлен тем, что при пролете электронами межэлектронного пространства, где нет ком­пенсирующих положительных зарядов, во внешней цепи возникает импульс тока с длительностью, равной Бремени пролета. Вследст­вие беспорядочности таких импульсов имеют место флуктуации тока диода
Ж=2gi0Af,(3.2)
где г [...]

СТАБИЛИТРОНЫ (ОПОРНЫЕ ДИОДЫ)

Стабилитронами называются полупроводниковые диоды, на вольтамперной характеристике которых имеется учас­ток со слабой зависимостью напряжения от величины про­текающего тока (рис. 5.1). Поэтому уровень напряжения на таком диоде остается постоянным при изменении тока в широких пределах. Так же как у обычных диодов, вольт-амперная характеристика стабилитрона на участках ОБ и ОВ достаточно точно описывается выражением (1.18). Рабочий [...]

ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ТИРИСТОРОВ

Появившись впервые в 1957 г., тиристоры получили широкое распространение в различных отраслях электро­техники и электроники. В настоящее время разработаны различные типы тиристоров с рабочими напряжениями от нескольких десятков до нескольких сотен вольт [13] и рабочими токами от нескольких миллиампер до не­скольких сотен ампер [12]. Следующий этап развития, связанный с увеличением быстродействия, позволил создать тиристоры с [...]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИСТОЧНИКИ СВЕТА

В последнее время появился новый тип полупроводни­ковых приборов — полупроводниковые источники света, или, как их еще иногда называют, электролюминесцентные диоды. В основе действия полупроводниковых источников света лежат два явления: инжекция неосновных носителей электронно-дырочным переходом и последующая излу-чательная рекомбинация избыточных электронов и дырок ъ р — я п-областях.
Попавшие в р-область электроны рекомбинируют с основ­ными носителями заряда (дырками). [...]

ИЗМЕРЕНИЕ ЕМКОСТИ ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА

Обычно измеряют общую емкость диода, равную сумме емкостей корпуса и перехода. Так как активная проводи­мость туннельного диода велика, то целесообразно изме­рять его емкость в одной из экстремальных точек, где диф­ференциальной активной проводимостью диода (при изме­рении на малом сигнале) можно пренебречь.
Для измерения емкости туннельного диода может быть использован любой из методов, применяемых обычно для измерения емкости [...]

Время переключения

Для измерения времени восста­новления tB может быть использован следующий метод. На переключательный диод, находящийся в выключателе, подается непрерывная СВЧ мощность и импульс управ­ляющего напряжения с крутым фронтом (длительность фрон­та должна бьгаь в несколько раз меньше tB). Управляющий импульс переводит диод из режима прямого смещения в ре­жим обратного смещения, в результате чего в линии пере­дачи [...]

ИЗМЕРЕНИЕ ЧАСТОТНЫХ СВОЙСТВ ДИОДА

Для определения частотных свойств диода его включают в схему однополупериодного выпрямителя с активно-емкост­ной нагрузкой (рис. 2.14). На вход схемы подается синусоидальное напряжение от генератора стандартных сигналов (ГСС), которое контролируется амплитуд­ным вольтметром (ИН) и поддерживается постоянным во время измерений.
Резистор Rz служит для согласования ГСС с на­грузкой. Коэффициент гар­моник ГСС не должен пре­вышать 5%.
Величина [...]

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И МЕТОДЫ ИХ ИЗМЕРЕНИЯ

Основными параметрами стабилитронов являются:
£/ст — номинальное значение напряжения' стабилизации;
/ст — номинальный ток стабилизации — значение тока стабилизации, при котором определяются величины клас­сификационных параметров стабилитрона;
/ст мин — минимальный ток стабилизации; при токах, меньших минимального тока стабилизации, увеличивается дифференциальное сопротивление перехода, пробой стано­вится неустойчивым, резко возрастают микроплазменные шумы;
максимально допустимый ток стабилизации или наибольшее значение тока стабилизации, при [...]

ЗАВИСИМОСТЬ НАПРЯЖЕНИЯ СТАБИЛИЗАЦИИ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ

Важнейшей характеристикой стабилитронов является зависимость напряжения стабилизации (пробоя) от темпера­туры.
Характер изменения температурного коэффициента напряжения стабилизации (ТКН) для стабилитронов с раз­личным напряжением пробоя показан на графике рис. 5 5.
У сравнительно высоковольтных стабилитронов с лавинным механизмом пробоя ТКН поло­жителен. Для лавинного меха­низма пробоя основной причи­ной температурной зависимости пробивного напряжения являет­ся изменение средней длины свободного пробега носителей заряда. [...]