Содержимое раздела "Полупроводниковые диоды"

Сортировка:

ПРОБОЙ р-п ПЕРЕХОДА

Пробоем р-п перехода называется явление резкого уве­личения обратного тока при достижении обратным напря­жением определенного критического значения. Различают электрический и тепловой пробои р-п перехода.
Электрический пробой. Вследствие малой ширины пере­хода (~104 см) напряженность электрического поля в нем Достигает большой величины при сравнительно небольших напряжениях (единицы или десятки вольт).
Существуют два механизма электрического пробоя: туннельный (его называют также зенеровским [...]

Влияние тормозящего поля на переходную характери­стику

Характерной особенностью диффузионных диодов является наличие внутреннего тормозящего поля в базе около р-п перехода, которое обусловлено неравномерным распределением ионизированных примесей. Вследствие этого накопление дырок при протекании прямого тока происходит только вблизи р-п перехода, так как тормозящее поле препятствует их диффузии в удаленные области базы.
Равновесное распределение дырок деформируется так, что величина р± и крутизна спада кривой [...]

ЧАСТОТНО — ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ СМЕСИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ

Смеситель как шестиполюсник. При анализе смесите­ля обычно рассматривают лишь полюса гетеродина, цепи постоянного тока, сигнала, промежуточной частоты (ПЧ) и зеркальной частоты (34), считая полюса гармоник и других комбинационных частот замкнутыми накоротко. Если при этом считать гетеродин и цепь постоянного тока «встроенными» в преобразователь частоты, последний пре­вращается в шестиполюсник (рис. 10.7, а)
Линейные соотношения. В режиме преобразования [...]

Шум диода

При подаче смещения у полупроводников и полупровод­никовых диодов наблюдается шум с характерным спектром Да2 — f~a, где а — близко к единице. В литературе этот шум называют: низкочастотный шум, фликкер-шум, 1//-шум, избыточный шум. Следует отметить, что все эти названия не очень удачны. Так, например, название низкочастотный шум не отражает того, что на низких частотах, кроме [...]

ВОЛЬТАМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ДИОДА

Вольтамперная харак­теристика (ВАХ) р-п перехода может быть представлена следующим выражением:
/=/0(еЮ. −1),
где ^ = при комнатной температуре у = 25 мв.
У реального диода последовательно с р-п переходом имеется сопротивление базы гс — При больших прямых токах падение напряжения на сопротивлении базы соизмеримо с падением на переходе. С учетом сопротивления базы аналитическое выражение зависимости тока диода от приложенного [...]

ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ ВАРИКАПОВ

Зависимость номинальной емкости от приложенного на­пряжения, температуры и частоты. В зависимости от наз­начения варикапов величина их номинальной емкости может быть в пределах от нескольких пикофарад до нескольких тысяч пикофарад. При изготовлении варикапов требуемую величину номинальной емкости, как правило, получают подбором площади р-п перехода. Зависимость емкости варикапа от приложенного напряжения определяется тех­нологией изготовления р-п перехода.
При создании [...]

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И МЕТОДЫ ИХ ИЗМЕРЕНИЯ

При использовании диодов в ключевых и логических устройствах, в цепях постоянного тока важно знать такие их основные статические параметры, как
прямое падение напряжения Unp и постоянный обратный ток /0бР (см. § 2.1).
Динамическими параметрами выпрямительных диодов, характеризующими их работу в выпрямительных схемах, являются:
/выпр — среднее за период значение выпрямленного тока;
с^прср — среднее значение прямого падения напряже­ния [...]

ТИПЫ ИМПУЛЬСНЫХ ДИОДОВ

Импульсными называют такие полупроводниковые диоды, которые благодаря специально принятым конструктивно-технологическим мерам.могут работать в быстродействую­щих импульсных схемах с временами переключения 1 мксек и менее.
Основной причиной инерционности полупроводниковых диодов при работе их в режиме переключения является эффект накопления неравновесных носителей заряда вблизи р-п перехода. Изучение основных физических закономер­ностей, связанных с этим эффектом, позволяет рассчитать инерционность диода [...]

«Широкополосный» смеситель

Ма СВЧ промежуточная частота достаточно мала по сравнению с частотой сигнала, так что сопротивление генератора сигнала, пересчитанное на выпрямлющий контакт через согласующий трансформатор и корпус диода, практически одинаково на частоте сиг­нала и 34. Поэтому, если смеситель не содержит высокодоб­ротных резонансных элементов, то в схеме рис. 10.7 про­водимость нагрузки цепи 34 равна выходной проводимости генератора сигнала. [...]

ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И КОНСТРУКЦИИ СТАБИЛИТРОНОВ

В технологии изготовления стабилитронов используются сплавкой, диффузионный, диффузионно-сплавной и другие методы создания переходов. Наиболее распространен сплав­ной метод, обеспечивающий получение резких переходов.
Таким способом изготовлены стабилитроны общего наз­начения типов Д808 — Д813, КС156А, КС168А й др. Исход­ным материалом для них служит пластинка кремния л-типа с удельным сопротивлением 0,026 — 0,12 ом-см. В нее вплав­ляется алюминий (акцепторная примесь [...]