Содержимое раздела "Полупроводниковые диоды"

Сортировка:

СТАТИЧЕСКАЯ ВОЛЬТАМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА

Если к четырехслойной р-п-р-п- структуре приложено напряжение полярности, указанной на рис. 9.1, то вольт-амперная характеристика тиристора может быть записана в следующем виде [1]:
где / — ток, протекающий через тиристор; /ут—ток утеч­ки центрального перехода.
Коэффициенты передачи по току гх4 и гх2 зависят от на­пряжения и тока, протекающего через тиристор. Типовая зависимость коэффициента передачи по току маломощного [...]

Волноводный корпус

В диапазоне субмиллиметровых и миллиметровых волн требуется коаксиальный корпус очень малого размера, который трудно выполнить в виде отдельной конструкции. В этом случае отрезок коаксиаль­ной линии монтируют в одном блоке с коаксиально-волноводным переходом, образуя таким образом волно-водную конструкцию корпуса. В некоторых диодах этого типа выпрямляющий контакт размещен непосредственно в волноводе. Волноводное окно защищают с помощью [...]

Шум при туннельном пробое

В низковольтных диодах пробой носит туннельный характер — происходит туннель­ный переход электронов из валентной зоны в зону прово­димости и туннельный переход Дырок из зоны проводимости в валентную зону. Прошедшие через сильное поле перехода носители тока разгоняются там до больших ско­ростей. Как показано, они обладают свойствами электрон­ного газа с температурой, значительно большей темпера­туры решетки. Соответственно возрастает [...]

ВОЛЬТ — АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА р-п ПЕРЕХОДА

Полный ток / через переход складывается из диффузион­ного тока /дИф, обусловленного движением носителей заряда-вследствие наличия градиента их концентраций,и дрейфового тока /др, создаваемого движением носителей заряда в элек­трическом поле. В свою очередь, и диффузионный, и дрей­фовый токи состоят из дырочной и электронной составляю­щих:
^ ~ 1р ~Ь in — /дпф р ~Г /диф п Н — ^др р [...]

О полупроводниковых диодах

Знание основных свойств полупроводниковых приборов, ознакомление с их конструкцией и элементами технологии изготовления, а также методикой измерения параметров совершенно необходимо для грамотного проектирования радиоэлектронных схем.
К сожалению, нужные для этого сведения можно полу­чить, лишь обратившись к большому количеству книг и статей. К тому же во многих из них детально рассматри­ваются лишь процессы, происходящие в самих приборах, [...]

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ИМПУЛЬСНЫХ ДИОДОВ

Для характеристики инерционности диодов используют ряд параметров, знание которых, наряду со знанием пара­метров вольтамперной характеристики, позволяет прово­дить инженерные расчеты импульсных схем.
Постоянное прямое падение напряжения. В зависимости от назначения диода величина прямого тока inp, при котором ведется изменение Unp, изменяется в очень широких пре­делах от 500 ма для импульсного диода типа Д310 до 5 ма для [...]

Послеинжекционное напряжение на диоде

После окон­чания импульса тока на диоде еще в течение достаточно дли­тельного времени сохраняется напряжение, соответствую щее прямому направлению тока через диод (рис. 8.5, б), т. е. диод сам является источником напряжения, которое называют послеинжекционным. Наличие этого напряжения
после окончания действия импульса тока объясняется тем, что падение напряжения на диоде при прохождении пря­мого тока складывается из падения [...]

ДИОДЫ С p. -i-n СТРУКТУРОЙ

Основные теоретические положения. Свойства p-i-n структуры в диапазоне СВЧ существенно отличаются от ее свойств на низких частотах. Такая структура, изображен­ная схематически на рис. 12.4, а, представляет собой две сильно легированные области р — и п — типа, разделенные областью, проводимость ко­торой близка к собственной (/-область).
Эквивалентная схема. Полная проводимость p-i-n структуры на СВЧ1 почти целиком определяется ком­плексной проводимостью [...]

Время переключения

Если диапазон управляющих напряжений выключателя с p-i-n диодом лежит целиком в области прямых смещений, то время восстановления опре­деляется главным образом процессом рекомбинации носи­телей заряда в t'-области. При этом время переключения будет составлять микросекунды и десятки микросекунд.
Для получения малого времени восстановления на диод в момент переключения подается импульс обратной поляр­ности с большой амплитудой (30 — 200 [...]

ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУИРОВАНИЯ ВАРИКАПОВ

Из формулы (7.10) видно, что для увеличения добротности не обходимо уменьшить толщину базы w и удельное сопротивление. Однако уменьшение величины р ограничивает пределы изменения емкости, так как снижается величина напряжения пробоя. Основ­ная задача конструирования варикапа состоит в том, чтобы разрешить именно это противоречие, т. е. получить высокую добротность (малую величину последовательного сопротивления rs)при доста­точно большом [...]