Содержимое раздела "Полупроводниковые диоды"

Сортировка:

ДИОДЫ С р-п ПЕРЕХОДОМ

Принцип действия. Работа переключательного диода с р-п переходом основана на эффекте изменения импеданса р-п перехода в зависимости от напряжения смещения.
Эквивалентная схема диода с р-п переходом показана на рис. 12.1, а. При обратном смещении в диапазоне СВЧ, как правило, R J> 1/соС, в связи с чем в эквивалентной схеме можно не учитывать сопротивления R (рис. [...]

Нагрев диода под действием СВЧ мощности

Как было показано выше, максимальная рабочая мощность диода определяется напряжением пробоя. Однако помимо этого условия, налагаемого на амплитуду СВЧ напряжения, необходимо принять во внимание ограничение, обусловлен­ное разогревом диода под действием СВЧ колебаний. Поглощенная диодом мощность пропорциональна падаю­щей мощности и коэффициенту поглощения (коэффициент поглощения т есть отношение поглощенной мощности к па­дающей мощности), который полностью определяется поте­рями [...]

Время установления прямого сопротивления

Скорость спада напряжения на точечном диоде связана с постоянной времени.
У точечных диодов длительность спада послеинжекцион-ного напряжения меньше, чем у плоскостных, так как в на­чальной части переходного процесса у точечного диода на­пряжение уменьшается быстрее по сравнению с процессом, описываемым формулой (8. 24). Точное выражение закона уменьшения напряжения для точечного диода громоздко. При гДр ж 0,2 у [...]

ОБРАЩЕННЫЕ ДИОДЫ

Обращенные диоды являются разновидностью туннель­ных. Они имеют меньшую величину туннельного тока (1Р = — 0,5 — 0,01 ма) и используются как пассивные элементы радиотехнических устройств: как детекторы и смесители для работы при Малом Сигнале, а Также как ключевые устройства для импульсных сигналов малой амплитуды. Эквивалентные схемы туннельных и обращенных диодов идентичны.
Типичные вольтамперные характеристики обращенных диодов, [...]

ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИМПУЛЬСНЫХ ДИОДОВ

Методы измерения параметров Unp и /о6р, а также емкости Сд подробно описань в гл...2. Здесь мы рассмотрим измере­ние лишь специфических параметров импульсных диодов.
В схеме измерения генератор должен обеспечить протекание через диод заданного прямого тока и резкое переключение его на обратное напряжение. Конкретная величина длительности фронта переключения выбирается в зависимости от ожидаемого быстродействия измеряемого диода. [...]

ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Полупроводниками называются вещества, которые по своей удельной проводимости являются промежуточными между проводниками и диэлектриками. Отличительная особенность полупроводников — сильная зависимость элек­тропроводности от температуры и концентрации примесей. Электропроводность полупроводника пропорциональна кон­центрации подвижных носителей заряда и их подвижности. Концентрация подвижных носителей заряда зависит от характера и количества атомов примесей, введенных в кри­сталл полупроводника. В идеально чистом (беспримесном, [...]

Шумы переключательного диода

В некоторых случаях имеет значение уровень шумов, вносимых диодом в линию передачи. Как показывает расчет, а также проведенные измерения [6], шумы, вносимые переключательным диодом в линию передачи, оцениваются шумовой температурой не более 30° К — Такие малые значения шумов объясняются сильным рассогласованием р-п перехода, являющегося основным источником шумов, с линией передачи в обоих рабочих состояниях.
Технология изготовления [...]

ИЗМЕРЕНИЕ ЕМКОСТИ ДИОДА

Емкость р-п перехода в зависимости от смещения, при­ложенного к нему, для диодов с резким и плавным перехода­ми описывается выражениями (2.7) и (2.8), соответственно. Вольтфарадная характеристика диода является криволи­нейной, поэтому степень точности измерения емкости опре­деляется точностью задания рабочей точки, в которой изме­ряется емкость, и точностью измерения переменного напря­жения, при помощи которого осуществляется это измерение. Путем логарифмирования [...]

Измерение емкости

Наиболее употребительная схема измерения емкости диодов иллюстрируется рис. 11.9 (метод предложен Э. Н. Рубинштейн).
Генератор напряжения ВЧ (ГН t) имеет внутреннее сопро­тивление Ri, много меньшее емкостного сопротивления изме­ряемого диода. Величина сопротивления токосъемного резистора Rt удовлетворяет тому же условию. Чувствитель­ный индикатор И со стрелочным прибором на выходе изме­ряет падение напряжения на резисторе Рт.
Напряжение смещения подается на [...]

ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ К ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПЕРЕГРУЗКАМ И ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ РАБОТЫ

Характерным свойством диодов и транзисторов являет­ся пробой р-п переходов (тепловой и электрический) при воздействии больших напряжений. Ток, протекающий через прибор, и выделяемая в нем мощность при пробое резко растут и " достигают разрушающих величин даже гри условии небольшого превышения предельного напря­жения.
Установлено, что подавляющая часть повреждений полу­проводниковых приборов и выходов их из строя вызывает­ся превышением предельных [...]