Содержимое раздела "Полупроводниковые диоды"

Сортировка:

Сплавные диоды

В сплавных диодах (рис. 8.1, б) р-п переход получают вплавлением в кристалл полупроводника электронной проводимости кусочка сплава, содержащего атомы акцепторной примеси. Так, при создании кремниевых сплавных импульсных диодов в кристалл кремния вплав­ляется конец тонкой алюминиевой проволочки. После охлаждения в месте спая образуется очень тонкий слой крем­ния, обогащенного алюминием и имеющего то же направ­ление кристаллографических осей, [...]

Представление диода двухполюсником

Если интерес представляют шумы только на одной какой-либо паре полю­сов (например на полюсах низкой частоты детектора или на полюсах промежуточной частоты смесителя), а условия на остальных полюсах фиксированы (например, полюса замкнуты накоротко или нагружены на определенные сопро­тивления), то диод можно представить двухполюсником.
В этом случае шум диода в небольшой полосе частот — Af можно представить в соответствии [...]

Шум на остальном участке лавинного пробоя

На осталь­ном участке лавинного пробоя шумы значительно меньше, чем в области переключения микроплазм, но также сущест­венно превышают дробовой шум (3.1). Согласно выполнен­ному в работе [19] расчету имеет место увеличение шума вследствие флуктуации коэффициента умножения. На низ­ких частотах шум возрастает в М2 раз относительно уровня, определяемого формулой (3.2). (Коэффициент умножения М обычно составляет —102 — 104.) [...]

ИЗМЕРЕНИЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОТЕРЬ

Измерение сопротивления потерь туннельного диода производится при работе его на обратной ветви вольтам­перной характеристики при токах смещения 0,1 — 1 а (в за­висимости от типа диода), когда сопротивлением перехода можно пренебречь и наклон характеристики в основном определяется сопротивлением базы и выводов. Поскольку малая емкость перехода туннельного диода обычно дости­гается путем уменьшения площади р-п перехода, большие [...]

ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ

Выбор режима измерения. На вольтамперной характе­ристике диода имеются области с различными дифферен­циальными сопротивлениями. Поэтому необходимая точ­ность определения Параметров может быть достигнута при соблюдении определенных условий измерения. Выясним, каковы эти условия при измерении прямой характеристики диода. Логарифмируя выражение (2.2), получаем
t/ = y In (l-I--£)+//-".
На основании формул (2.3) и (2.11) можно получить выра­жение, связывающее относительное изменение напряжения [...]

Потери преобразования

Соотношения (10.16) позволяют рассчитать смеситель в любом режиме его работы. Пос- . кольку смеситель линеен, интересующая нас мощность ПЧ пропорциональна мощности сигнала. Отношение мощности сигнала к мощности ПЧ, выделенной на нагрузке смесителя, называется потерями преобразования. (Это отношение обыч­но выражают в децибелах.)
Общее выражение для потерь преобразования при про извольных нагрузках в цепях ПЧ У2 и 34 [...]

ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ ТИРИСТОРОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ

С повышением температуры возрастают токи утечки в выключенном состоянии. Причем однозначной связи между токами утечки и физическими параметрами четырех­слойной структуры нет, так как в большинстве случаев эти токи обусловливаются не объемными, а поверхност­ными явлениями, например наличием поверхностных кана­лов и утечек.
При увеличении температуры возрастают коэффициенты усиления по току о.и <х2. Это приводит к следующим изме­нениям [...]

Постоянное прямое напряжение

От величины Unp, как уже указывалось, зависит величина рассеиваемой диодом мощности и, следовательно, экономичность выпрямитель­ного устройства. У современных выпрямительных диодов величина Unp при всех значениях рабочих токов не превы­шает 1 в для германиевых и 1,5 в для кремниевых приборов.
При постоянном прямом токе величина падения напря­жения на диоде с ростом температуры уменьшается. При малых прямых токах, [...]

Детекторные диоды. Зависимость параметров от смеще­ния

Кривые зависимости чувствительности по току (Зсвч и сопротивления в рабочей точке ^БЫХ от тока смещения для детекторных диодов типа' Д604 изображены на рис. 10.10, а. На рис. 10.10, б показаны зависимости от тока смещения шу­мового отношения г и добротности М. Максимум добротности лежит при токе смещения 12 — 15 мка, однако сопротив­ление диода при этом [...]

Шум в плоскостных диодах

Для полупроводниковых диодов имеется только феноменологическая теория 1//-шума. В этой теории различают два вида шума — поверхностный шум и шум утечки. Рассмотрим сначала поверхностный шум. При прямых смещениях в диодах с р-п переходом происхо­дит иижекция неосновных носителей, скажем дырок, в «-по­лупроводник. Здесь «избыточные» носители рекомбинируют. Рекомбинация в полупроводниках происходит не путем непосредственных столкновений электрон — [...]