Содержимое раздела "Полупроводниковые диоды"

Сортировка:

ПРИМЕНЕНИЕ ДИОДОВ С УПРАВЛЯЕМОЙ ЕМКОСТЬЮ В УМНОЖИТЕЛЯХ ЧАСТОТЫ

Для генерирования колебаний" гармоник пригодны два вида нелинейных зависимостей, присущих полупровод­никовым диодам, — вольтамперная характеристика i(U) и вольтфарадная характеристика C(U). Точечные диоды с прижимным контактом обычно близки по своим характе­ристикам к нелинейным сопротивлениям, плоскостные диоды с резким или плавным р-п переходом (сплавные или диффу­зионные)— к нелинейным емкостям [31]. В настоящее время для умножения частоты используются [...]

ОПИСАНИЕ И ИЗМЕРЕНИЕ ШУМОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ

В предыдущих параграфах были рассмотрены основные виды шумов в полупроводниковых диодах. Эти виды шумов имеют различную природу, спектр и по разному зависят от протекающего через диод тока, температуры и других факторов. На полюсах двухполюсника, которым является диод, все эти виды шумов выступают одновременно как ком­поненты шума диода.
Для расчета влияния шума диода на шумовые характе­ристики схемы [...]

МАЛОСИГНАЛЬНАЯ ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА ВАРИКАПА

Знание емкости р-п перехода не' может дать полного представления о работе диода в качестве управляемой ем­кости. Поведение варикапа будет определяться параметрами эквивалентной схемы, а поэтому необходимо знать значения параметров, которые они могут принимать в различных условиях.
Полная эквивалентная схема варикапа, изображенная на рис. 7.1, а, применима от низких до сверхвысоких частот [2, 11, 12, 13]. Собственно [...]

Переходная характеристика диффузионного диода

В § 8.2 отмечалось, что у диффузионных диодов длительность фазы высокой обратной проводимости tx больше, чем у сплавных, а длительность фазы спада обратного тока t2 меньше. У некоторых типов диффузионных диодов переход­ная характеристика переключения имеет почти прямоуголь­ный вид.
Подобные приборы, получившие название диодов с накоп­лением заряда (ДНЗ), находят все более широкое применение в ряде оригинальных электронных [...]

ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ р-п ПЕРЕХОДА

Электронно-дырочным или р-п переходом называется область между двумя частями полупроводника с проводимо-стями типов п и р. Механизм образования р-п перехода рас­смотрен в работах [1 — 5]. Образующийся в области пере-
хода потенциальный барьер характеризуется контактной разностью потенциалов, равной
Ф" = — 1п — = — In — р-
q «р q р"
где рр, пп—концентрации основных, а рп, пр [...]