Содержимое раздела "Полупроводниковые диоды"

Сортировка:

НАДЕЖНОСТЬ ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ

Характерной особенностью туннельных диодов среди остальных классов полупроводниковых приборов является своеобразный механизм изменения их электрических пара­метров при длительной работе, получивший название дегра­дации. Внешне эффект деградации проявляется как моно­тонное и необратимое уменьшение пикового тока /р при сопутствующем увеличении или уменьшении тока мини­мума и уменьшении напряжения раствора Up — Это явление наблюдается лишь при положении рабочей точки на [...]

Технологические и конструктивные особенности туннельных и обращенных диодов

Для изготовления туннельных диодов в настоящее время используют германий, арсенид галлия и антимонид галлия. На рйс. 13.3 показаны типовые вольтамперные ха­рактеристики туннельных диодов из перечисленных мате­риалов.
Кремний для изготовления туннельных диодов приме­няется сравнительно редко, так как кремниевые туннельные диоды обладают малым отношением 1P!IV, как правило, не превышающим 3.
Туннельные диоды из арсенида галлия, имеющие наиг больший раствор [...]

ПРИМЕНЕНИЕ ДИОДОВ С УПРАВЛЯЕМОЙ ЕМКОСТЬЮ В ПАРАМЕТРИЧЕСКИХ УСИЛИТЕЛЯХ

Среди многих типов параметрических усилителей наи­большее распространение получили одноконтурные и двух-контурные усилители без преобразования частоты. Как пра­вило, эти усилители работают в схеме с ферритовым цир-кулятором и носят название усилителей, работающих на отражение. Второй обширный класс усилителей — усили­тели-преобразователи. В усилителях этого класса эффект усиления сопровождается преобразованием частоты сигнала в разностную частоту (частота накачки минус частота [...]

ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ И КОНСТРУКЦИИ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ

Выпрямительные устройства — наиболее обширная, но не исчерпывающая все возможности выпрямительных дио­дов область их применения. Выпрямительные диоды широко используются для развязок в электрических цепях, в цепях 'управления и коммутации, для ограничения выбросов напря­жений в схемах с индуктивными элементами, а также во всех сильноточных цепях, где необходим вентильный эле­мент и не предъявляется жестких требований к временным [...]

Импульсный режим

Тепловое сопротивление исполь­зуется для определения температуры в статическом режиме, когда средняя рабочая мощность неизменна во времени. В случае импульсного режима важной характеристикой
диода является время тепловой релаксации тт. Оно опреде­ляет скорость повышения температуры после начала дей­ствия СВЧ импульса. Если длительность импульса меньше тт, температура к концу действия импульса не достигнет значения, соответствующего статическому режиму при той [...]

ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ И ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ ДИОДОВ

При необходимости получить выпрямленный ток, пре­вышающий предельно допустимое значение для одного диода, применяют параллельное включение однотипных диодов. При различных величинах сопротивлений Rnp диодов (что чаще всего встречается на практике), ток между ними будет распределяться неравномерно. Больший ток вызовет • повышенный нагрев р-п перехода, сопротивление Rnp умень­шится и ток еще больше возрастет. В итоге ток через [...]

ОСНОВНЫЕ ПРАВИЛА ПРИМЕНЕНИЯ ДИОДОВ

Выбор типа диода. При выборе типа диода нужно руко­водствоваться стремлением обеспечить наибольшую надеж­ность работы диода в данной схеме. Необходимо обеспечить режим в соответствии с рекомендациями, данными в § 15.3. Однако при выборе группы диода в пределах одного типа не следует стремиться без необходимости применять приборы с наивысшими значениями параметров.
Рабочий режим диода в проектируемой схеме часто [...]

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗБРОС ПАРАМЕТРОВ ИХ ВРЕМЕННОЙ ДРЕЙФ И НЕСТАБИЛЬНОСТЬ

Разброс параметров около номинального значения опре­деляется граничными значениями, указанными в ТУ на диоды. Примеры распределения параметров в партиях диодов разных типов показаны на рис. 15.3.
Под воздействием различных факторов окружающей среды (температуры, влаги, химических и электрических воздействий и т. п.), а также процессов, происходящих внутри полупроводникового прибора, некоторые пара­метры отдельных диодов могут изменяться. Способом за­щиты кристаллов [...]

Влияние длительности фронта переключающего им­пульса

В любой реальной схеме переход из одного состоя­ния в другое происходит не мгновенно. Конечная величина длительности фронта запирающего импульса приводит к ис­кажению вида переходной характеристики. Поэтому экспериментально измеренные параметры tu t2 и qn будут от­личаться от вычисленных по формулам. Если длительность фронта меньше, чем 0,5тр, то погрешность теоретического определения величины tz не превышает нескольких [...]

ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ

Большинство схем, используемых для измерения коор­динат экстремальных точек диода на вольтамперной харак­теристике и напряжения раствора Uf, основано на свойстве туннельного диода скачком переходить в высоковольтное состояние, когда плавно нарастающий ток через Диод превысит значения /р, и переключаться в низковольтное сос­тояние, когда вслед за тем плавно уменьшаемый ток ста­новится меньше Iv. Наиболее простая схема, позволяющая измерить [...]