Содержимое раздела "Полупроводниковые диоды"

Сортировка:

ЕМКОСТЬ ПЕРЕХОДА

Образование р-п перехода связано с возникновением объемных зарядов Q, создаваемых неподвижными ионизо­ванными атомами примесей. Приложенное к переходу внеш­нее напряжение изменяет величину объемного заряда в переходе.
Следовательно, р-п переход ведет себя как своеобразный плоский конденсатор. Обкладками конденсатора служат проводящие области п и р, а изолятором — обедненный носителями слой объемного заряда, имеющий большое сопро­тивление.
Особенностью этого конденсатора, отличающей [...]

Смесительные диоды. Зависимость параметров от вели­чины мощности гетеродина

На рис. 10.12 показано измене­ние выпрямленного тока /, потерь преобразования L, выход­ного сопротивления RBblK, шумового отношения t и норми­рованного коэффициента шума F от величины мощности гетеродина для диодов типов Д405Б и Д408.
Такого же характера зависимости имеют место и для других типов смесительных диодов. Для большинства дио­дов оптимальная мощность гетеродина лежит в пределах 0,4 — [...]

УПРАВЛЕНИЕ ТИРИСТОРОМ И ЕГО ДИНАМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Включение тиристора, т. е. перевод его из выключенного во включенное состояние, производится путем подачи на управляющий электрод положительного импульса тока. Включающий ток и включающее напряжение управляюще­го электрода определяют минимальную мощность, рассеи­ваемую цепью управляющего электрода, и связаны между собой приблизительно так же, как ток базы и напряжение эмиттер — база в транзисторе, включенном по схеме с [...]

Общая технологическая классификация

Во всем мно­гообразии импульсных диодов в зависимости от устрой­ства их р-п переходов можно выделить следующие группы:
1)точечные диоды, для которых радиус р-п перехода одного порядка или меньше диффузионной длины дырок в базе;
2)сплавные диоды, имеющие плоскостной р-п переход и базовую область с равномерным распределением примеси;
3)диффузионные диоды с плоскостным р-п переходом и .•рс тормозящим полем в базе.
Кроме [...]

Максимальная рабочая температура

При повышении температуры р-п перехода сильно увеличивается обратный ток. Этот ток может достигнуть такой величины, что диод практически потеряет свои выпрямляющие свойства. С ростом температуры у германиевых диодов уменьшается вели­чина пробивного напряжения, результатом чего может быть выход из строя диода при напряжениях, безопасных при нормальной температуре. Длительная работа выпрями­тельных диодов даже в облегченном режиме при [...]

Прямое смещение

При прямом смещении импенданс p-i-n структуры по-прежнему зависит от комплексной про­водимости /-область1 о'. = о jtoe, однако теперь о определяется концентрацией неравновесных электронов и дырок. Отсюда следует, что эквивалентная схема рис. 12.5 применима и в случае прямого смещения. Емкость С по-прежнему определяется равенством (12.8), а активное сопро­тивление, которое теперь обозначим, как показывают расчеты,
L — [...]

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ СОЗДАНИЯ ЧЕТЫРЕХСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЫ

Для изготовления четырехслойной структуры исполь­зуются известные технологические методы создания р-п пе­реходов (диффузия, сплавление и др.). Комбинируя эти технологические методы, получают четырехслойную струк­туру диффузионным, диффузионно-сплавным или сплавно-диффузионным' методом.
Рассмотрим сплавно-диффузиоиный метод изготовления четырехслойной структуры (рис. 9.9), используемый для производства тиристоров типа Д235.
В тонкие пластины кремния я-типа с двух сторон проводится диффузия бора при высокой температуре. При этом [...]

ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ДЕТЕКТОРНЫХ И СМЕСИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ

В систему контролируемых электрических параметров детекторных диодов входят чувствительность по току, сопро­тивление в рабочей точке, шумовое отношение, доброт­ность и КСВ.
Чувствительность по току. Чувствительность по току рсвч определяется как отношение выпрямленного тока t'o к подводимой СВЧ мощности:
причем сопротивление цепи выпрямленного тока не должно превышать 5% от наименьшего номинального значения сопротивления диода в рабочей точке с целью [...]

Принципиальная схема измерения параметров с инди­кацией по осциллографу

Простейшая и наиболее распро­страненная принципиальная схема измерения, использую­щая в качестве измерительного устройства осциллограф изображена на рис. 8.10.
Диоды Д-i и Д2 используются для разделения цепей токов прямого смещения измеряемого диода. Эти диоды должны быть более быстродействующими, чем измеряемый диод ИД. В тех случаях, когда выброс переходного обратного тока намного превышает уровень отсчета, в схему вводят [...]

Диапазон рабочих частот

С повышением частоты пере­менного напряжения, подводимого к диоду, его выпрямляю­щие свойства ухудшаются, величина выпрямленного тока уменьшается. Это связано с тем, что на высоких частотах неосновные носители, инжектированные в базу во время положительного полупериода переменного напряжения, не успевают рекомбинировать. Во время отрицательного полупериода они создают составляющую тока нагрузки, текущую через р-п переход в противоположном направле­нии. Чем [...]