Содержимое раздела "Монтаж ИС"

Сортировка:

Формовка и обрезка выводов

Одно из основных требований, которому должен удовлетворять корпус ИС, — сохраиенне внутри него относительно сухой атмосферы в течение всего срока службы.
Любая поверхность вещества при нормальных условиях покрыта тоикой пленкой влаги толщиной от 0,01 до 0,001 мкм. Из-за малых размеров моле­кулы (2,7−10_ 10 м) и малой вязкости воды влага способна проникать даже в межмолекулярные промежутки [...]

Защита ИС от электрических воздействий

С течением времени степень интеграции ИС (т. е. плотность компоновки элементов на одной пластине) увеличивается, что связано с развитием техно­логии, позволяющей уменьшить как сами размеры элементов, так и размеры тех областей, с помощью которых элементы электрически изолируются друг от друга на пластине ИС. Такое уиеличение плотности компоновки элементов на поверхности пластины позволяет улучшить электрические и [...]

Установка ИС на печатные платы

Конструктивные особенности корпусов ИС: наличие гермовводов и герме­тизирующих швов, относительно «тонкое» дно корпуса (толщиной 0,1... 0,2 мм), на котором закреплены подложки или кристалл, определяют целый ряд специ­фических требований, которые должны быть выполнены при установке ИС на печатные платы. Все меры предосторожности при этом сводятся к тому, чтобы защитить корпус ИС от недопустимых деформаций.
Метод установки должен, [...]

Измерение потенциалов

Параметром при измерении потенциалов является относительная влажность воздуха. Анализируя эти зави­симости, следует обратить внимание на то, что статические потенциалы при низкой относительной влажности воздуха (40...50%) достигают 3... 10 кВ, ста­тический потенциал иа лавсане выше, чем на хлопчатобумажной ткани, и он сильно зависит от относительной влажности воздуха (при влажности 65% потенциал на хлопчатобумажной ткани равен нулю, [...]

Лужение и пайка

При производстве радиоэлектронной аппаратуры широко используются групповые методы выполнения отдельных технологических операций, например лужение выводов ИС способом «окунания в расплавленный припой» или пайки

. Теплообмен осуществляется от зоны пайки (зона А)через металл вывода к керамической основе тела корпуса (2) и далее к кристаллу ИС (4).Тепловой поток передается к кристаллу также от внутренней части вывода (зона Б)через [...]