Содержимое раздела "МЕТОДЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ"

Сортировка:

Структура транзистора с изоляцией р-я переходом (плаиарная техно­логия)

Электрическая изоляция коллекторной области от соседних транзисторов (когда на схему будет иодаио положительное относительно подложки питание) обеспечивается наличием области глубокой разделительной диффузии примеси р-типа через эпитаксиальный слой в пластину. Эта диффузия проводится пер­вой. База образуется в процессе второй днффузни примеси р-типа вглубь эпитаксиалъной области коллектора (в это же время делаются базовые и пиич-резисторы). Типичное сопротивление [...]

Пленочная и гибридная технология

В Настоящее время с помощью пленочной технологии можно де­лать пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, катушки ин­дуктивности), а также изготавливать соединительные проводники, контактные площадки и элементы СВЧ схем (такие, как полоско-вые волноводы, аттенюаторы, разветвители). Активные пленочные элементы (транзисторы и диоды) изготавливаются пока только в лабораторных условиях для исследовательских целей. Таким обра­зом, выпускаемые в СССР и за рубежом [...]

МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИС И ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЕ

Для изготовления полупроводниковых ИС попользуют в большинстве слу­чаев пластины монокристаллического кремния р — или и-типа проводимости, снабженные эпитаксиальными н так называемыми «скрытыми» слоями. В ка­честве легирующих примесей, с помощью которых изменяют проводимость исходного материала пластины, применяют соединения бора, сурьмы, фосфора, алюминия, галия, индия, мышьяка, золота. Для создания межсоединений и контактных площадок используют алюминий и золото. Весьма [...]

МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ГИБРИДНЫХ ИС И МИКРОСБОРОК

Подложки для гибридных структур изготавливаются из ситал-ла, стекла, керамики. Основные требования к подложкам: хоро­шие механические и диэлектрические свойства, согласование по температурному .коэффициенту расширения с другими материалами, а также высокая чистота поверхности (12—14-й класс по ГОСТ 278а—73). Наиболее распространены прямоугольные подложки с размерами: 6X15, 8X12, 11X11, 10×16, 12X12, 12X16, 12×20, 16×20, 24×30, 48×60 мм (при этом [...]

ИЗГОТОВЛЕНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБРИДНЫХ ИС И МИКРОСБОРОК

Основными способами получения тонкопленочных элементов яв­ляются термическое испарение в вакууме, катодное и ионно-плаз-менное распыление, осаждение пленок из паровой и газовой фазы. Толстопленочные элементы создаются на подложке методом шел-кографии. Выбор конкретного метода получения пленок зависит от многих факторов, особенно от состава наносимого вещества, состо­яния поверхности, температуры подложки, требуемой толщины и используемого метода ее контроля. В промышленности [...]

ТИПОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ

При создании полупроводниковых ИС наиболее широко применяется пла-нарно-эпитаксиальиая технология (оиа же используется для изготовления со­временных дискретных транзисторов). Различие в характеристиках транзисторов полупроводниковых ИС и «обычных» транзисторов может быть обусловлено свойствами изолирующей области, в которой находится транзистор иа кристалле полупроводниковой ИС, а также расположением коллекторного вывода (в ин­тегральных структурах он почти всегда «верхний»).
Интегральные диоды обычно создаются [...]

Полупроводниковая технология

Особенности полупроводниковых ИС следующие [5] Стоимость элементов микросхемы в значительной степени определяется площадью, занимаемой ими иа полупроводниковой пластине Таким образом, стоимость транзистора оказы­вается приблизительно равной стоимости диода, которая, в свою очередь, при­мерно соответствует стоимости резистора с номиналом 4 кОм при допуске ±30% или с номиналом 1 кОм при допуске ±20%. Номиналы элементов, имеющих дискретные прототипы, [...]

МОНТАЖ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИИ В ГИБРИДНЫХ ИС И МИКРОСБОРКАХ

Выводы компонентов, прикрепленных к плате, присоединяют к контактным площадкам, а выходные контактные площадки соеди­няют с выводами корпуса. В большинстве случаев такие соедине­ния осуществляются с помощью золотых или алюминиевых прово­лочек диаметром 25... 50 мкм термокомпрессионной, контактной или ультразвуковой сваркой.
Наиболее широко применяется термокомпрессионная сварка, при которой совмещается давление с подогревом. Плату и золотую проволочку в месте контакта [...]