Содержимое раздела "Дефекты ИС"

Сортировка:

ТЕРМИЧЕСКАЯ КОРРОЗИЯ АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ

Уже отмечалось, что коррозия алюминиевой металлизациипроисходит из-за загрязнения поверхности кристалла и наличия влаги внутри корпуса. Процесс коррозии ускоряется при повышении температуры [3]. На активизацию про­цесса влияет повышенная плотность тока, при которой происходит ускорение переноса положительных ионов в растворе, образованном на поверхности ме­таллизации, от гальванического анода к катоду и, следовательно, к обрывам цепей. Кроме того, осаждение [...]

ДЕГРАДАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ОБЪЕМЕ КРИСТАЛЛА

Появление отказов, связанных с явлениями в объеме полупроводникового материала, объясняется в первую очередь дефектами активных элементов крис­таллов ИС. По своей природе элемент, сформированный в бездефектном объеме полупроводникового монокристалла без нарушения технологического процесса, является высоконадежной структурой.
Рабочая температура переходов в большинстве случаев в реальных усло­виях эксплуатации во много раз меньше, чем температура, при которой проте­кают диффузионные процессы. [...]

Причины отказов ИС

Известно, что надежность серийной продукции в значительной мере зависит от устойчивости производства по трем составляющим: от конструкции изделия, качества (исходных материалов и отработанности технологического процесса. Дестабилизация хотя бы по одной та этих линий может привести к дефекту ИС и как следствие к отказу смонтированного электронного устройства. От­браковочные испытания — это мера, направленная на изъятие из [...]

СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ ПОДЗАТВОРНОГО ОКИСЛА

Дефекты исходной структуры кремния (выступы, дендриты) определяют н структурные нарушения в подзатворном окисле. Повышение температуры вы­зывает дальнейшее развитие этих нарушений. Поскольку пороговое напряжение МОП схем линейно зависит от толщины подзатворного слоя (диэлектрика, его структурные дефекты, включая и локальное уменьшение толщины, приводят к уменыневию этого напряжения и изменению зависящих от него других пара­метров (например, крутизны усиления).
Кроме [...]

ДЕФЕКТЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ

Анализ данных об отказах показывает, что главным для ИС является де­фект металлизации. Основными механизмами отказов гари этом могут быть процессы химической и электрохимической коррозии или электродиффузии. Электрохимическая или химическая коррозия происходит из-за загрязнений по­верхности кристалла и наличия влаги под крышкой корпуса. Для образования металлизированных поверхностей чаще всего используется алюминий, который является электроотрицательным элементом и поэтому [...]

ТЕРМОКОМПРЕОСИОННЫЕ СОЕДИНЕНИЯ

При плохой термокомпрессии происходит слабое сцепление сварной точки проволочного соединения с контактной площадкой кристалла. Это объясняется либо малой площадью контакта, образованного в момент изготовления (из-за низкого качества очистки .контактных площадок, недостаточного давления на инструмент, присутствия на контактной площадке остатков окисла), либо с течением времени как следствие возникновения пустот из-за образования интер­металлических соединений золота и алюминия.
Воздействие [...]

ДЕФЕКТЫ ВНУТРЕННИХ СОЕДИНЕНИИ

Достаточно часто наблюдаются отказы внутренних соединений в золото-елюмиииевых контактах, изготовленных ультразвуковой или термокомпрессион-ной сваркой. Как следствие получаются малая механическая прочность контак­тов и плохая их адгезия к металлизации (а металлизации — к подложке).
Указанные явления обусловлены образованием интерметаллических соеди­нений на границе раздела алюминий—золото, а также взаимной диффузией ме­таллов и формированием пустот (эффект Киркеидалла) [3]. Совместное дей­ствие этих [...]

ОБРЫВ АЛЮМИНИЯ НА СТУПЕНЬКЕ ОКИСЛА, ПОВРЕЖДЕНИЕ МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫХ ДОРОЖЕК

Пока не существует аналитического выражения для подсчета времени на­работки на отказ металлизированной дорожки, учитывающего изменение зна­чений тока я температуры.
Из чисто физических соображений следует, что увеличение плотности тока приводит к росту числа соударений электронов с нонами металлов и, таким образом, к ускорению процесса электромиграции. Прирост температуры при­водит, с одной стороны, к увеличению энергии электронов (соответственно ионов [...]

ЗАГРЯЗНЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛА

В местах загрязнения или дефектов защитного покрытия кристалла могут появиться электрические цепи, не предусмотренные конструкцией ИС. В неко­тором смысле изолированные металлизированные дорожки и контактные пло­щадки на поверхности кристалла можно рассматривать как обкладки конден­сатора. В качестве диэлектрика будут выступать находящийся между ними окисел или защитные компаунды. В этом случае постоянный ток утечки между этими обкладками будет [...]